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开鲁变压器厂家近年来电子开鲁干式变压器的一些新进展概括

文章出处:http://kailu.mzdecoration.com   责任编辑:开鲁变压器厂   发布时间:2020-04-21    点击数:31
近年来,电源中电子开鲁干式变压器所用的铁心材料和导电材料价格连续上涨,上游原材料形成卖方市场。作为下游的电子开鲁干式变压器的电源用户,可以在范围内选择和采购,形成买方市场。处于中间位置的电子开鲁干式变压器行业,只有走技术创新之路,才能摆脱这种两头受气的困境。然而,在成熟的电子开鲁干式变压器行业里,技术创新比较困难。但是每一个细小环节的改进,就可以带来新的理念和新的产品。因此,本文从新材料、新结构、新原理、新产品四个方面介绍近年来电源中电子开鲁干式变压器的一些新进展,供读者参考,如果有什么不当之处敬请指正。  走技术创新之路,要时刻记住要达到的目的。电源中的电子开鲁干式变压器,象所有作为商品的产品一样进行任何技术创新,都必须在具体使用条件下完成具体功能中,追求性能价格比好。现在的电源产品,普遍以“轻、薄、短、小”为特点向小型化和便携化发展。电子开鲁干式变压器必须适应作为用户的电源产品对体积和重量的要求。同时,电子开鲁干式变压器的原材料(铁心材料和导电材料)价格上涨。因此,如何减小体积和重量,如何降低成本,成为近年来电子开鲁干式变压器发展的主要方向。  1新材料  1.1硅钢  硅钢是工频电源中电子开鲁干式变压器大量使用  的铁心材料。要减少电子开鲁干式变压器中的铁心用量,必须提高硅钢的工作磁通密度(工作磁密)。硅钢的工作磁密既决定于饱和磁通密度,又决定于损耗。因为效率是电子开鲁干式变压器的重要性能指标,现在,为了节能,许多电源产品都提出待机损耗要求。电子开鲁干式变压器的铁心损耗是待机损耗的主要组成部分,因此,都对电子开鲁干式变压器的效率或损耗提出明确的严格要求。  近年来,取向和无取向冷轧硅钢价格上涨,卷绕式环形铁心,相比于R型、CD型和EI型铁心,由于消耗材料少,可以节约20以上的铁心材料成本,扩大了电子开鲁干式变压器中的使用范围。卷绕式环形铁心可以充分发挥取向冷轧硅钢的性能,与无取向冷轧钢相比,工作磁密要高得多。同时不象R型、CD型和EI型的铁心那样,可以充分利用硅钢材料,不会有边角废料,材料利用率可以达到98以上。  近年来,冷轧取向硅钢有相当大的改进。国产23Q110的0.23mm取向冷轧硅钢,在工作磁通密度1.7 T和50 Hz下,单位重量损耗为1.10 W/kg.日本产的0.23 mm厚度的取向冷轧硅钢P1.7/50为0.88W/kg.硅钢带材表面处理后涂张力涂层,P1.7/50下降到0.7W/kg.改变退火工艺,细化磁畴,P1.7/50再下降到0.55~0.45W/kg,远远低于0.35mm厚无取向冷轧硅钢在工作磁密1.5T和50Hz下(P1.5/50)的2W/kg.在保证同样损耗条件下,0.23mm厚度取向冷轧硅钢工作磁密度可以达到1.85T,如果选取它加工环形铁心,比用无取向冷轧硅钢的工作磁密1.5 T高1.23倍,铁心截面和体积可减少23以上。  现在手机充电器和家用电器的电源适配器中,大量使用EI型铁心工频电源开鲁干式变压器,有时会出现过热现象。EI型铁心由EI形冲片叠成,E形冲片中有五分之一长度与纵向(取向方向)正交,要承受横向磁场,一般都用无取向冷轧硅钢。近年来日本川崎公司开发出可用于EI型铁心的RGE系列取向冷轧硅钢,厚度为0.35 mm,纵向饱和磁密为1.80~1.90 T,横向饱和磁密为1.825T,损耗P1.7/50为1.10~1.25W/kg.同时,绝缘膜比较薄,冲压加工性能良好,用它制作铁心,工作磁密可取1.7T以上,比用无取向冷轧硅钢高15,铁心截面和体积可以减少15以上,损耗也大大下降,不会再出现过热现象。日本川崎公司还开发出饱和磁密高的无取向冷轧钢,厚度为0.5mm,硅含量小于1,为0.6,铝含量为0.3,加0.52镍后,饱和磁密为1.96T,损耗P1.5/50为3W/kg.采用它作为EI型铁心材料,工作磁密也可取1.7T,但损耗较大。  值得注意的是:作为电子开鲁干式变压器一大类的工频开鲁干式变压器,采用工作磁密高的铁心材料后,可以不减少铁心截面和体积,而是减少线圈匝数,减少用铜量。在现在铜材价格远远高于铁心材料的情况下,可能是更好的一种设计改进方案。  1.2软磁铁氧体  软磁铁氧体是中、高频电源中电子开鲁干式变压器大量使用的铁心材料,和金属软磁材料相比,软磁铁氧体的饱和磁密低,磁导率低,居里温度低,是它的几大弱点。尤其是居里温度低,饱和磁密Bs和单位体积功率损耗Pcv都会随温度变化。温度上升,Bs下降,Pcv开始下降,到谷点后再升高。因此在高温条件下,只要Bs保持较高水平,就可以把工作磁密Bm选得高一些,从而减少线圈匝数,降低用铜量和成本。高温高饱和磁密软磁铁氧体材料,还可以扩大电子开鲁干式变压器使用的温度上限到120益甚至150益。例如,汽车用电子设备中的高频电子开鲁干式变压器,在外界温度条件变化大和发动机室发热的高温条件下工作,就必须采用高温高饱和磁密软磁铁氧体。  作为中、高频电子开鲁干式变压器用的MnZn软磁铁氧体,以日本TDK公司为代表,大致经历了PC30→PC40→PC44→PC50→PC47→PC95→PC90的发展过程。在100℃、100kHz、200mT测试条件下,单位体积功率损耗不断下降。根据该公司2006年4月份公布的数据,PC30为600mW/cm3;PC40为420 mW/cm3;PC44为340 mW/cm3;PC47为270 mW/cm3.但是100益下的饱和磁密Bs,PC30、PC40、PC44基本上都为390 mT,PC47为410 mT,与理论值600 mT相差甚远,不能认为是高温高饱和磁密材料。  近年来,为了在电子开鲁干式变压器应用领域和金属软磁材料竞争,兴起一轮开发高温高饱和磁密MnZn铁氧体材料的热潮。日本FDK公司于2003年3月份开发出4H系列高温高饱和磁密材料。其中4H45和4H47在25℃下,Bs分别为520 mT和530mT,100℃下分别为450mT和470mT,但在100℃下,功率损耗Pcv比较高,分别为450mW/cm3和  650mW/ cm3.据称,FDK公司在实验室条件下开发出4H50材料,100℃下Bs为490 mT,但是Pcv相当大,为800mW/ cm3.日本TDK公司于2004年9月开发出PC90材料,在25℃下,Bs为540mT,Pcv为680 mW/ cm3;在100℃下,Bs为450 mT,Pcv为320mW/ cm3,高于4H45材料水平。TOKIN公司开发出BH3材料,在25℃下,其Bs为540 mT,Pcv为600 mW/ cm3;而在100℃下,Bs为440 mT,Pcv为370 mW/ cm3.NICERA公司开发出BM30材料,25℃下Bs为540 mT,Pcv为720 mW/ cm3;在100℃下,Bs为450mT,Pcv为320mW/ cm3.日立金属公司开发出来的高铁低锌铁氧体材料,Bs在25℃下,为563 mT;在100℃下为560 mT,基本不变,150℃为490 mT,但是在100℃、100 kHz、200 mT测试条件下,Pcv为1700mW/ cm3,偏高,需要改进。  许多电源设备不但要求电子开鲁干式变压器在工作状态下,也就是在高温时损耗要小,同时还要求待机情况下,也就是在常温时损耗也要小。这些电子开鲁干式变压器可以采用宽温低功耗软磁铁氧体。日本TDK公司开发的PC95就是近年来出现的高水平宽温铁氧体材料。25℃时,功耗Pcv为350mW/ cm3,80℃时为280mW/ cm3,100℃为290mW/ cm3,120℃时为350mW/ cm3,在100℃时饱和磁密为410mT.  近年来,还开发出一系列高磁导率μ软磁铁氧体材料,作为电子电源设备中脉冲开鲁干式变压器用的,要求磁导率μ相对较高,有TDK公司的H5C3,μ为15 000±30,H5C5,μ为30 000±30.EPCOS公司的T56,μ为20000±30.作为电磁干扰滤波用的,要求磁导率频率特性好,有TDK公司HS52,μ为5 500±25;HS72,μ为7 500±25;HS10,μ为10000±25.HITACHI公司的MP15T,μ为15000±25,都可以在500kHz以下工作。作为直流滤波用的,要求直流叠加特性好,有TDK公司的DN45,μ为4500±25,使用温度0~70℃,和改进后的DNW45,μ为4 200±25,使用温度-40℃~+85℃,川崎公司的SK-202G,使用温度-40℃~+85℃,μ为4300±25,以及高饱和磁密高磁导率材料,如TDK公司的DN50,μ为5 200±20,Bs在25℃时为550 mT,100℃时为380 mT,居里温度Tc≥210℃。  1.3非晶和纳米晶合金  自2005年初起,由于取向冷轧硅钢带材国内供需不平衡,取向冷轧硅钢带材料价格迅速上涨,现在已超过铁基非晶合金带材的价格。在现在这个市场价格条件下,铁基非晶合金在工频电源开鲁干式变压器领域中代替取向冷轧硅钢,不再只是可能的事情,已经变成了现实。在电力开鲁干式变压器行业,配电开鲁干式变压器生产厂纷纷把铁心材料从取向冷轧硅钢转向铁基非晶合金。同时,从2006年7月1日起,强制性国家标准“配电开鲁干式变压器的能效限定值及节能评估值”正式实施,更加推动了配电开鲁干式变压器中用铁基非晶合金代替取向冷轧硅钢的热潮。和配电开鲁干式变压器一样,工频电源开鲁干式变压器中铁基非晶合金代替取向冷轧硅钢,将会成为电源中电子开鲁干式变压器的一个主要的新进展。为什么呢?从表1中取向冷轧硅钢与铁基非晶合金技术经济指标对比就可以看出其中的原因。
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